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参数资料
| 型号： | NTB5405NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 116A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 88nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 32V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB5405N, NVB5405N
PACKAGE DIMENSIONS
D 2 PAK 3
CASE 418B ? 04
ISSUE K
1
? B ?
4
2
3
S
C
A
E
V
W
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B ? 01 THRU 418B ? 03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B ? 04.
INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.340 0.380 8.64 9.65
B 0.380 0.405 9.65 10.29
C 0.160 0.190 4.06 4.83
D 0.020 0.035 0.51 0.89
E 0.045 0.055 1.14 1.40
F 0.310 0.350 7.87 8.89
G
? T ?
SEATING
PLANE
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
D 3 PL
0.13 (0.005)
L
M
R
T B
M
K
H
N
L
J
W
U
P
L
G 0.100 BSC
H 0.080 0.110
J 0.018 0.025
K 0.090 0.110
L 0.052 0.072
M 0.280 0.320
N 0.197 REF
P 0.079 REF
R 0.039 REF
S 0.575 0.625
V 0.045 0.055
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
2.54 BSC
2.03 2.79
0.46 0.64
2.29 2.79
1.32 1.83
7.11 8.13
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
14.60 15.88
1.14 1.40
M
F
VIEW W ? W
1
M
F
VIEW W ? W
2
M
F
VIEW W ? W
3
SOLDERING FOOTPRINT*
10.49
8.38
16.155
2X
3.504
2X
1.016
5.080
PITCH
DIMENSIONS: MILLIMETERS
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTB5411N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 |
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