- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17493 > NTB60N06LT4 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTB60N06LT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 30A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3075pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTB60N06LT4OS |
NTP60N06L, NTB60N06L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage (Note 2)
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
V (BR)DSS
60
?
72.8
75.2
?
?
Vdc
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
m Adc
(V DS = 60 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 60 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J =150 ° C)
?
?
?
?
1.0
10
Gate?Body Leakage Current (V GS = ± 15 Vdc, V DS = 0 Vdc)
I GSS
?
?
± 100
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage (Note 2)
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Threshold Temperature Coefficient (Negative)
V GS(th)
1.0
?
1.58
5.4
2.0
?
Vdc
mV/ ° C
Static Drain?to?Source On?Resistance (Note 2)
R DS(on)
m W
(V GS = 5.0 Vdc, I D = 30 Adc)
Static Drain?to?Source On?Voltage (Note 2)
(V GS = 5.0 Vdc, I D = 60 Adc)
(V GS = 5.0 Vdc, I D = 30 Adc, T J = 150 ° C)
V DS(on)
?
?
?
12.4
0.793
0.861
16
1.17
?
Vdc
Forward Transconductance (Note 2) (V DS = 8.0 Vdc, I D = 12 Adc)
g FS
?
48
?
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
2195
3075
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
675
188
945
380
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Turn?On Delay Time
t d(on)
?
50.4
100
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 48 Vdc, I D = 60 Adc,
V GS = 5.0 Vdc,
R G = 9.1 W ) (Note 2)
t r
t d(off)
t f
?
?
?
576
100
237
1160
200
480
Gate Charge
(V DS = 48 Vdc, I D = 60 Adc,
V GS = 5.0 Vdc) (Note 2)
Q T
Q 1
Q 2
?
?
?
43.2
6.4
29
65
?
?
nC
SOURCE?DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On?Voltage
Reverse Recovery Time
(I S = 60 Adc, V GS = 0 Vdc) (Note 2)
(I S = 60 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
(I S = 60 Adc, V GS = 0 Vdc,
dl S /dt = 100 A/ m s) (Note 2)
V SD
t rr
t a
t b
?
?
?
?
?
0.98
0.86
81.9
42.1
39.8
1.05
?
?
?
?
Vdc
ns
Reverse Recovery Stored Charge
Q RR
?
0.172
?
m C
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
ORDERING INFORMATION
NTP60N06L
NTP60N06LG
NTB60N06L
NTB60N06LG
NTB60N06LT4
NTB60N06LT4G
Device
Package
TO?220AB
TO?220AB
(Pb?Free)
D 2 PAK
D 2 PAK
(Pb?Free)
D 2 PAK
D 2 PAK
Shipping ?
50 Units / Rail
50 Units / Rail
50 Units / Rail
50 Units / Rail
800 Units / Tape & Reel
800 Units / Tape & Reel
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB18N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
| NTB18N06T4 | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
| NTF3055L108T3LF | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 |
| NIF9N05CLT3 | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 |
| NTB30N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB60N06LT4G | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB60N06T4 | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB60N06T4G | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB6410AN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mΩ |
| NTB6410ANG | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。