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参数资料
| 型号： | NTB60N06LT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 30A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3075pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTB60N06LT4OS |
NTP60N06L, NTB60N06L
120
8V
4.5 V
120
V DS ≥ 10 V
100
80
6V
5V
V GS = 10 V
4V
100
80
60
60
40
3.5 V
40
T J = 25 ° C
20
3V
20
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
0.03
0.026
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS = 5 V
0.03
0.026
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
DS 5 V
V GS = 10 V
0.022
T J = 100 ° C
0.022
0.018
0.014
T J = 25 ° C
0.018
0.014
T J = 100 ° C
0.01
T J = ?55 ° C
0.01
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.006
0
20
40
60
80 100
120
0.006
0
20
40
60
80 100
120
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Gate?to?Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2
1.8
I D = 30 A
V GS = 5 V
10,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.6
1.4
1000
T J = 125 ° C
1.2
100
1
0.8
T J = 100 ° C
0.6
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB18N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
| NTB18N06T4 | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
| NTF3055L108T3LF | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 |
| NIF9N05CLT3 | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 |
| NTB30N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB60N06LT4G | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB60N06T4 | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB60N06T4G | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB6410AN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mΩ |
| NTB6410ANG | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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