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参数资料
| 型号： | NTD110N02RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3440pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD110N02RT4OSDKR |
NTD110N02R, STD110N02R
175
150
125
10 V
8V
6V
5V
4.5 V
4.2 V
T J = 25 ° C
210
180
150
V DS ≥ 10 V
100
75
4V
3.8 V
3.6 V
120
90
50
3.4 V
3.2 V
3V
60
T J = 175 ° C
T J = 25 ° C
25
0
0
2
4
6
8
2.8 V
2.6 V
2.4 V
10
30
0
0
2
T J = ? 55 ° C
4
6
8
0.03
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.014
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.02
I D = 110 A
T J = 25 ° C
0.012
0.01
0.008
0.006
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.01
0.004
0.002
V GS = 10 V
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200 220 240
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
I D = 55 A
V GS = 10 V
100,000
10,000
V GS = 0 V
T J = 175 ° C
1.4
1000
1.2
1.0
0.8
100
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
0
5.0
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD12N10T4 | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK |
| NTD14N03RG | MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK |
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| NTD15N06L-001 | MOSFET N-CH 60V 15A IPAK |
| NTD18N06L-001 | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD110N02RT4G | 功能描述:MOSFET 24V 110A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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