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参数资料
| 型号： | NTD110N02RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3440pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD110N02RT4OSDKR |
NTD110N02R, STD110N02R
5000
4000
C iss
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
Q T
20
16
V GS
3000
3
Q GS
Q DS
12
2000
C iss
2
V DS
8
C rss
1000
0
10
5
0
5
10
15
C oss
C rss
20
1
0
0
5
10
15
I D = 40 A
T J = 25 ° C
20
4
0
25
V GS V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DS = 10 V
I D = 55 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
120
100
80
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
60
10
t d(on)
40
20
1
1
10
100
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
1000
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100
1 ms
10 ms
10
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
1.0
0.1
Package Limit
1.0
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD110N02RT4G | 功能描述:MOSFET 24V 110A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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