参数资料
型号: NTD110N02RT4
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
产品变化通告: LTB Notification 03/Jan/2008
标准包装: 10
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 24V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.6 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3440pF @ 20V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 标准包装
其它名称: NTD110N02RT4OSDKR
NTD110N02R, STD110N02R
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Device
NTD110N02RT4G
STD110N02RT4G
Package
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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参数描述
NTD110N02RT4G 功能描述:MOSFET 24V 110A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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