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参数资料
| 型号： | NTD25P03L1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 25A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 25A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1260pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD25P03L1OS |
NTD25P03L, STD25P03L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage (Note 3)
(V GS = 0 Vdc, I D = ? 250 m A)
Temperature Coefficient (Positive)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = ? 30 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 25 ° C)
(V DS = ? 30 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
Gate ? Body Leakage Current
(V GS = ± 15 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
? 30
? 24
? 1.0
? 100
? 100
V
mV/ ° C
m A
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = ? 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Negative)
Static Drain ? to ? Source On ? State Resistance
(V GS = ? 5.0 Vdc, I D = ? 12.5 Adc)
(V GS = ? 5.0 Vdc, I D = ? 25 Adc)
(V GS = ? 4.0 Vdc, I D = ? 10 Adc)
Forward Transconductance
(V DS = ? 8.0 Vdc, I D = ? 12.5 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
g FS
? 1.0
? 1.6
4.0
0.051
0.056
0.065
13
? 2.0
0.072
0.080
0.090
V
mV/ ° C
W
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
900
1260
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = ? 25 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
290
105
410
210
SWITCHING CHARACTERISTICS (Notes 3 & 4)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
9.0
20
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = ? 15 Vdc, I D = ? 25 A,
V GS = ? 5.0 V,
R G = 1.3 W )
t r
t d(off)
t f
37
15
16
75
30
55
Gate Charge
(V DS = ? 24 Vdc,
V GS = ? 5.0 Vdc,
I D = ? 25 A)
Q T
Q 1
Q 2
15
3.0
9.0
20
nC
BODY ? DRAIN DIODE RATINGS (Not e 3)
Q 3
7.0
Diode Forward On ? Voltage
Reverse Recovery Time
(I S = ? 25 Adc, V GS = 0 V)
(I S = ? 25 Adc, V GS = 0 V, T J = 125 ° C)
V SD
t rr
? 1.0
? 0.9
35
? 1.5
V
ns
(I S = ? 25 A, V GS = 0 V,
dI S /dt = 100 A/ m s)
t a
t b
20
14
Reverse Recovery Stored Charge
Q RR
0.035
m C
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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