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参数资料
| 型号： | NTD25P03L1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 25A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 25A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1260pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD25P03L1OS |
NTD25P03L, STD25P03L
TYPICAL MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
50
40
30
V GS = 10 V
9V
8V
7V
6V
T J = 25 ° C
5V
4.5 V
50
40
30
V DS ≥ ? 5 V
T J = ? 40 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
20
10
4V
3.5 V
3V
20
10
0
0
1
2
3
4
2.5 V
5
0
1
2
3
4
5
6
0.3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.01
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.25
0.2
V GS = ? 5 V
0.075
T J = 25 ° C
V GS = ? 5 V
0.15
0.1
T = 125 ° C
T = 25 ° C
0.05
0.025
V GS = ? 10 V
0.05
T = ? 40 ° C
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
1.6
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
10,000
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.4
1.2
I D = ? 12.5
V GS = ? 5 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1
0.8
100
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PV37Z504C31A00 | TRIMMER 500K OHM 0.25W TH |
| PV37Z503C31A00 | TRIMMER 50K OHM 0.25W TH |
| PV37Z502C31A00 | TRIMMER 5K OHM 0.25W TH |
| NTP75N03L09 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB |
| PV37Z501C31A00 | TRIMMER 500 OHM 0.25W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD25P03L1G | 功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD25P03LG | 功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD25P03LG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V -25A D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -30V, -25A, D-PAK |
| NTD25P03LRL | 功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD25P03LRLG | 功能描述:MOSFET PFET 30V 25A LL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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