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参数资料
| 型号： | NTD25P03L1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 25A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 25A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1260pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD25P03L1OS |
NTD25P03L, STD25P03L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
1.0E ? 05
1.0E ? 04
1.0E ? 03
1.0E ? 02
1.0E ? 01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
ORDERING INFORMATION
Device
NTD25P03LT4G
STD25P03LT4G
Package
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PV37Z504C31A00 | TRIMMER 500K OHM 0.25W TH |
| PV37Z503C31A00 | TRIMMER 50K OHM 0.25W TH |
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参数描述 |
|---|---|
| NTD25P03L1G | 功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD25P03LG | 功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD25P03LG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V -25A D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -30V, -25A, D-PAK |
| NTD25P03LRL | 功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD25P03LRLG | 功能描述:MOSFET PFET 30V 25A LL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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