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参数资料
| 型号： | NTD32N06T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 32A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1725pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTD32N06T4GOS |
NTD32N06
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage (Note 4)
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
V (BR)DSS
60
?
70
41.6
?
?
Vdc
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
m Adc
(V DS = 60 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 60 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
?
?
?
?
1.0
10
Gate?Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
I GSS
?
?
± 100
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage (Note 4)
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Threshold Temperature Coefficient (Negative)
V GS(th)
2.0
?
2.8
7.0
4.0
?
Vdc
mV/ ° C
Static Drain?to?Source On?Resistance (Note 4)
R DS(on)
m W
(V GS = 10 Vdc, I D = 16 Adc)
Static Drain?to?Source On?Voltage (Note 4)
(V GS = 10 Vdc, I D = 20 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 32 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 16 Adc, T J = 150 ° C)
V DS(on)
?
?
?
?
21
0.417
0.680
0.633
26
0.62
?
?
Vdc
Forward Transconductance (Note 4) (V DS = 6 Vdc, I D = 16 Adc)
g FS
?
21.1
?
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
1231
1725
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
346
77
485
160
SWITCHING CHARACTERISTICS (Not e 5)
Turn?On Delay Time
t d(on)
?
10
25
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 30 Vdc, I D = 32 Adc,
V GS = 10 Vdc,
R G = 9.1 W ) (Note 4)
t r
t d(off)
t f
?
?
?
84
31
93
180
70
200
Gate Charge
(V DS = 48 Vdc, I D = 32 Adc,
V GS = 10 Vdc) (Note 4)
Q T
Q 1
Q 2
?
?
?
33
6.0
15
60
?
?
nC
SOURCE?DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On?Voltage
(I S = 20 Adc, V GS = 0 Vdc) (Note 4)
V SD
?
0.89
1.0
Vdc
(I S = 32 Adc, V GS = 0 Vdc) (Note 4)
(I S = 20 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
?
?
0.96
0.75
?
?
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = 32 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s) (Note 4)
t rr
t a
t b
Q RR
?
?
?
?
52
37
14.3
0.095
?
?
?
?
ns
m C
4. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
5. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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