- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录487 > NTD32N06T4G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 32A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTD32N06T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 32A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1725pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTD32N06T4GOS |
NTD32N06
60
60
50
40
30
20
10
V GS = 10 V
V GS = 6.5 V
V GS = 7 V
V GS = 8 V
V GS = 6 V
V GS = 5.5 V
V GS = 5 V
V GS = 4.5 V
50
40
30
20
10
V DS > = 10 V
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
V GS = 4 V
T J = ?55 ° C
0
0
1
2
3
4
0
3
3.4
3.8
4.2
4.6
5
5.4
5.8
6.2
6.6
7
0.038
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS = 10 V
0.024
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.034
T J = 100 ° C
0.023
0.03
0.022
0.026
V GS = 10 V
0.022
T J = 25 ° C
0.021
0.018
0.014
T J = ?55 ° C
0.02
0.019
V GS = 15 V
0.01
0
10
20
30
40
50
60
0.018
0
10
20
30
40
50
60
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
I D = 16 A
V GS = 10 V
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.2
1
0.8
0.6
1000
100
10
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
?50 ?25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD3808NT4G | MOSFET N-CH 16V 12A DPAK |
| NTD3813NT4G | MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK |
| NTD3817NT4G | MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK |
| NTD40N03R-1G | MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK |
| NTD4302G | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD35 | 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS |
| NTD3808N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
| NTD3808N-1G | 功能描述:MOSFET N-CH 16V 12A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD3808N-35G | 功能描述:MOSFET N-CH 16V 12A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD3808NT4G | 功能描述:MOSFET N-CH 16V 12A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。