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参数资料
| 型号： | NTD3808NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 16V 12A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 16V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1660pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD3808N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 15 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.84
0.71
1.0
V
Reverse Recovery Time
t RR
21
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ m s,
I S = 15 A
9.9
11.1
8.8
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
Drain Inductance, DPAK
L S
L D
2.49
0.0164
nH
Drain Inductance, IPAK (Note 5)
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
1.88
3.46
Gate Resistance
R G
1.0
W
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
5. Assume standoff of 110 mm
ORDERING INFORMATION
NTD3808NT4G
NTD3808N-1G
NTD3808N-35G
Device
Package
DPAK
(Pb-Free)
IPAK
(Pb-Free)
IPAK Trimmed Lead
(3.5 " 0.15 mm)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
75 Units / Rail
(Pb-Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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