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参数资料
| 型号： | NTD3808NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 16V 12A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 16V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1660pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD3808N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2500
V GS = 0 V
10
Q gt
2000
1500
1000
C iss
T J = 25 ° C
8
6
4
Q gs
Q gd
500
C oss
2
I d = 15 A
0
C rss
0
T J = 25 ° C
0
2
4 6 8 10 12
14
16
0
4
8 12 16 20
24
28
1000
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
15
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-To-Source and Drain-To-Source
Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 12 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
14
13
12
11
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(on)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
30
25
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 14 A
100
10 m s
100 m s
20
10
1 ms
15
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10 ms
dc
10
5
0
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD3813NT4G | MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTD3813N-1G | 功能描述:MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD3813N-35G | 功能描述:MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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| NTD3817N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 16 V, 34.5 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
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