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参数资料
| 型号： | NTD3808NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 16V 12A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 16V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1660pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD3808N
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK (SINGLE GAUGE)
CASE 369AA-01
ISSUE A
NOTES:
-T-
SEATING
PLANE
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
B
C
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
V
R
E
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
A
B
0.235 0.245
0.250 0.265
5.97 6.22
6.35 6.73
S
1
4
2
3
A
H
U
Z
C
D
E
F
H
J
0.086 0.094
0.025 0.035
0.018 0.024
0.030 0.045
0.386 0.410
0.018 0.023
2.19 2.38
0.63 0.89
0.46 0.61
0.77 1.14
9.80 10.40
0.46 0.58
L
R
0.090 BSC
0.180 0.215
2.29 BSC
4.57 5.45
F
L
J
S
U
V
Z
0.024 0.040
0.020 ---
0.035 0.050
0.155 ---
0.60 1.01
0.51 ---
0.89 1.27
3.93 ---
D
2 PL
STYLE 2:
PIN 1. GATE
0.13 (0.005)
M
T
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SOLDERING FOOTPRINT*
6.20
3.0
0.244
2.58
0.101
0.118
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
SCALE 3:1
mm
inches
*For additional information on our Pb-Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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