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参数资料
| 型号： | NTD4959NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1456pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD4959NH
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2000
1500
C iss
T J = 25 ° C
12
10
Q T
V GS
8
1000
6
500
0
0
5
10
C oss
C rss
15
20
25
30
4
2
0
0
Q gs
5
Q gd
V DD = 15 V
0 V ≤ V GS ≤ 11.5 V
I D = 30 A
T J = 25 ° C
10 15 20 25
30
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage
vs. Total Charge
100
10
t r
t d(off)
30
25
20
15
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(on)
10
1
1
t f
10
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
100
5
0
0.5
0.6 0.7
0.8 0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
1 ms
120
100
80
60
40
I D = 15 A
1
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
10 ms
dc
100
20
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4960NT4G | MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK |
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| NTD4970N-35G | MOSFET N-CH 30V 38A IPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4960N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 55 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4960N-1G | 功能描述:MOSFET NFET IPAK 30V 55A 8mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4960N-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 55A 8mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4960NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 55A 8mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4963N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 44 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
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