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参数资料
| 型号： | NTD4959NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1456pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD4959NH
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK (SINGLE GAUGE)
CASE 369AA ? 01
ISSUE A
B
C
? T ?
SEATING
PLANE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
V
S
F
1
R
4
2
3
L
A
H
J
E
U
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
H
J
L
R
S
U
V
Z
INCHES
MIN MAX
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.025 0.035
0.018 0.024
0.030 0.045
0.386 0.410
0.018 0.023
0.090 BSC
0.180 0.215
0.024 0.040
0.020 ???
0.035 0.050
0.155 ???
MILLIMETERS
MIN MAX
5.97 6.22
6.35 6.73
2.19 2.38
0.63 0.89
0.46 0.61
0.77 1.14
9.80 10.40
0.46 0.58
2.29 BSC
4.57 5.45
0.60 1.01
0.51 ???
0.89 1.27
3.93 ???
D 2 PL
0.13 (0.005)
M
T
SOLDERING FOOTPRINT*
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
6.20
3.0
0.244
2.58
0.101
0.118
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
SCALE 3:1
mm
inches
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTD4960N-1G | 功能描述:MOSFET NFET IPAK 30V 55A 8mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4960N-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 55A 8mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4960NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 55A 8mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4963N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 44 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
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