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参数资料
| 型号： | NTD5414NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD5414N, NVD5414N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1500
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
Q T
1000
C iss
6
Q 1
Q 2
4
500
0
0
C rss
10
20
30
C oss
40
50
60
2
0
0
5
10
15
I D = 24 A
T J = 25 ° C
20
25
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
1000
V DD = 48 V
I D = 24 A
V GS = 10 V
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t r
t f
t d(off)
t d(on)
15
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
90
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0 V ≤ V GS ≤ 10 V
Single Pulse
80
I D = 24 A
100
T C = 25 ° C
1 ms
100 m s
10 m s
70
10 ms
60
10
dc
50
40
30
1
0.1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
10
100
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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