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参数资料
| 型号： | NTD5803NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 76A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 76A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.2 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD5803N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
160
140
10 V
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
150
125
V DS ≥ 10 V
120
100
80
4.5 V
100
75
60
4.2 V
50
T J = 25 ° C
40
20
0
0
1
2
3
4
5
4.0 V
3.8 V
3.4 V
6
25
0
2
T J = 150 ° C
3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
0.012
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.015
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.010
V GS = 10 V
0.014
0.013
0.012
T J = 25 ° C
0.011
0.008
0.010
0.009
V GS = 5 V
0.006
0.004
T J = 25 ° C
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
V GS = 10 V
0.002
10
20
30
40
50
60
70
0.003
0.002
30
50
70
90
110
130
150
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.7
1.6
1.5
I D = 50 A
V GS = 10 V
10,000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.3
1.2
1.1
100
1.0
0.9
0.8
10
T J = 25 ° C
0.7
? 55 ? 35 ? 15
5
25
45
65
85 105 125 145 165
1
2
6
10
14
18
22
26
30
34
38
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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PDF描述 |
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