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参数资料
| 型号： | NTD5805NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 51A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 51A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1725pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 47W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTD5805NT4GOSDKR |
NTD5805N, NVD5805N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
3000
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
20
40
2000
1000
C iss
C oss
15
10
5
Q gs
V DS
Q gd
QT
V GS
I D = 30 A
30
20
10
0
10
5
C rss
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0
10
20
30
T J = 25 ° C
0
40
Vgs Vds
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
30
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 32 V
I D = 30 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(on)
10
10
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
1000
100
10 m s
10
100 m s
1
V GS = 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
1 ms
10 ms
dc
0.1
0.1
Package Limit
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD5806NT4G | MOSFET N-CH 40V 33A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTD5806N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 33 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD5806NG | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 33 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD5806NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 40V 33A 19mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5807N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD5807NG | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
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