参数资料
型号: NTD5805NT4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
产品目录绘图: MOSFET DPAK Pkg
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 51A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.5 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1725pF @ 25V
功率 - 最大: 47W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 标准包装
产品目录页面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: NTD5805NT4GOSDKR
NTD5805N, NVD5805N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
10
D = 0.5
1
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t, PULSE TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Order Number
NTD5805NT4G
NVD5805NT4G
Package
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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NTD5807N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
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