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参数资料
| 型号： | NTD5806NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 33A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 39W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTD5806NT4GOSDKR |
NTD5806N, NVD5806N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
70
60
50
40
10 V
T J = 25 ° C
4.5 V
V GS = 7, 6, 5.8, 5.5, 5.2, 5 V
4.0 V
70
60
50
40
V DS ≥ 10 V
30
30
20
10
3.5 V
20
10
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
0.021
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
I D = 15 A
0.05
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
0.019
T J = 25 ° C
0.04
0.017
0.015
0.013
0.03
0.02
0.01
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.011
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
2.0
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current
10,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
I D = 30 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
100
T J = 100 ° C
0.7
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
2
12
22
32
42
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD5807NT4G | MOSFET N-CH 40V 23A DPAK |
| NTD5862NT4G | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK |
| NTD5865N-1G | MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM DPAK |
| NTD5865NL-1G | MOSFET N-CH 60V 40A 16MOHM IPAK |
| NTD5867NL-1G | MOSFET N-CH 60V 18A 43MOHM IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD5807N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD5807NG | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD5807NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 40V 23A 31mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5862N-1G | 功能描述:MOSFET NFET IPAK 60V 102A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5862NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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