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参数资料
| 型号： | NTD5806NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 33A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 39W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTD5806NT4GOSDKR |
NTD5806N, NVD5806N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
10
D = 0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.1
0.00001
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t, PULSE TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Order Number
NTD5806NG
NTD5806NT4G
NVD5806NT4G
Package
IPAK (Straight Lead DPAK)
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
75 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD5807NT4G | MOSFET N-CH 40V 23A DPAK |
| NTD5862NT4G | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK |
| NTD5865N-1G | MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM DPAK |
| NTD5865NL-1G | MOSFET N-CH 60V 40A 16MOHM IPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD5807N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
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| NTD5862NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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