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参数资料
| 型号： | NTD5807NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 23A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 603pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 33W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD5807N, NVD5807N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
45
40
10 V
V GS = 5 V
T J = 25 ° C
50
V DS ≥ 10 V
35
4.5 V
40
30
25
20
15
10
4.2 V
4.0 V
3.8 V
3.4 V
30
20
10
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
5
0
0
1
2
3
4
5
3.0 V
6
0
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
0.025
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.040
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.023
0.021
0.019
0.017
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
0.038
0.036
0.034
0.032
0.030
0.028
0.026
0.024
0.022
0.020
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.018
0.015
5
10
15
20
25
0.016
5
10
15
20
25
30
35
40
45
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.7
1.6
I D = 5 A
V GS = 10 V
10,000,000
1,000,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.5
1.4
1.3
100,000
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
10,000
1000
T J = 25 ° C
0.7
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
2
12
22
32
42
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| NTD5865NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 mΩ |
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