参数资料
型号: NTD5807NT4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
标准包装: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 31 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 603pF @ 25V
功率 - 最大: 33W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
NTD5807N, NVD5807N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
10
D = 0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
0.00001
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t, PULSE TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Order Number
NTD5807NG
NTD5807NT4G
NVD5807NT4G
Package
IPAK (Straight Lead DPAK)
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
75 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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