- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录488 > NTF3055L175T1 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTF3055L175T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫欧 @ 1A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTF3055L175T1OS |
NTF3055L175
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
700
600
500
400
V DS = 0 V
C iss
C rss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
7
6
5
4
Q 1
Q T
Q 2
V GS
300
200
100
0
10
5 V GS 0 V DS 5
10
C iss
C oss
C rss
15
20
25
3
2
1
0
0
1
2
3
4
I D = 2 A
T J = 25 ° C
5
6
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
V DS = 30 V
I D = 2 A
V GS = 5 V
2
1.6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(on)
t f
t d(off)
1.2
0.8
0.4
1
1
10
100
0
0.6
0.64
0.68
0.72
0.76
0.8
0.84
0.88
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
10
1
100 m s
10 ms
1 ms
70
60
50
I D = 6 A
40
0.1
0.01
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
dc
30
20
0.001
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1 10
100
1000
10
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTF5P03T3G | MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 |
| NTF6P02T3G | MOSFET PWR P-CHAN 10A 20V SOT223 |
| NTGD3133PT1G | MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOP |
| NTGD3147FT1G | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP |
| NTGD3148NT1G | MOSFET N-CH DUAL 20V 3.5A 6TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTF3055L175T1G | 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTF3055L175T3 | 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTF3055L175T3G | 功能描述:MOSFET 60V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTF3055L175T3LF | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTF3055L175T3LFG | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2.0 A, 60 V, Logic Level |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。