型号: | NTGS3433T1 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | MOSFET -3.3 Amps, -12 Volts P Channel TSOP6(-3.3A,-12V,P通道,TSOP-6封装的MOSFET) |
中文描述: | 2350 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | MINIATURE, CASE 318G-02, TSOP-6 |
文件页数: | 4/5页 |
文件大小: | 132K |
代理商: | NTGS3433T1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NTGS3433T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET -3.3 Amps, -12 Volts |
NTGS3433T1G | 功能描述:MOSFET -12V -3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NTGS3441B | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -3.5 A, Single P-Channel, TSOP-6 |
NTGS3441BT1G | 功能描述:MOSFET -20V -3.5A SGL P-CHN TSOP-6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |