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参数资料
| 型号： | NTGS3443BT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Apr/2009 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 819pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTGS3443B
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
7
QT
12
30
V GS = 0 V
6
5
-V DS
-V GS
10
8
10
4
6
3
Q GS
Q GD
2
1
0
V DS = -10 V
I D = -3.7 A
T J = 25 ° C
4
2
0
1.0
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.4
1.2
1.0
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
I D = -250 m A
60
50
40
-V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current
0.8
30
0.6
0.4
0.2
0.0
20
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 9. Threshold Voltage
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
100
10
1
V GS = -12 V
SINGLE PULSE
0.1 T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
Thermal Limit
100 m s
1 ms
10 ms
dc
0.01
Package Limit
0.1 1 10
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
100
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGS3443T1 | 功能描述:MOSFET 20V 2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3443T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 2 Amps， 20 Volts |
| NTGS3443T1G | 功能描述:MOSFET 20V 2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3443T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTGS3443T2G | 功能描述:MOSFET PFET 20V 0.10R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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