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参数资料
| 型号： | NTGS3443T1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Power MOSFET 2 Amp, 20 Volts P-Channel TSOP-6(2A，20V，P通道，TSOP-6封装的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 2200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | MINIATURE, CASE 318G-02, TSOP-6 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | NTGS3443T1 |
NTGS3443T1
http://onsemi.com
4
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate
to
Source and
Drain
to
Source Voltage vs. Total Charge
0
1200
1000
C
200
8
800
600
10
6
4
12
V
DS,
DRAIN
TO
SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
400
0
2
14
20
18
16
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 V
C
iss
C
oss
C
rss
5
4
3
2
1
0
Q
g,
TOTAL GATE CHARGE (nC)
0
4
5
3
2
6
1
7
8
T
J
= 25
°
C
I
D
=
4.4 A
V
GS
QT
Q1
Q2
V
G
T
S
V
50
50
0.8
0
100
1.2
1
0.6
150
Figure 9. Gate Threshold Voltage Variation
with Temperature
T
J,
JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
V
G
G
(
I
D
=
250 A
0.9
1.3
1.1
0.7
25
25
75
125
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
4
3
2
1
0
0.3
V
SD
, SOURCE
TO
DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
0.7
0.8
0.6
0.5
0.9
0.4
1
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 V
I
S
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PDF描述 |
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