- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录363711 > NTGS3446 (ON SEMICONDUCTOR) Power MOSFET 5.1 Amps, 20 Volts N-Channel TSOP-6(5.1A,20V逻辑电平,N通道,TSOP-6封装的功率MOSFET) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTGS3446 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET 5.1 Amps, 20 Volts N-Channel TSOP-6(5.1A,20V逻辑电平,N通道,TSOP-6封装的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 功率MOSFET五点一安培，20伏特N通道的TSOP - 6（5.1A，20V的逻辑电平，?通道，采用TSOP - 6封装的功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | NTGS3446 |
NTGS3446
http://onsemi.com
3
0
2
4
6
8
10
12
14
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
,
V
DS
, DRAIN
TO
SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On
Region Characteristics
V
GS
= 1.4 V
V
GS
= 1.6 V
V
GS
= 2 V
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.2 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 2.6 V
T
J
= 25
°
C
0
2
4
6
8
10
12
14
0
1
2
3
4
5
I
D
,
V
GS
, GATE
TO
SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
T
J
= 25
°
C
T
J
=
55
°
C
T
J
= 125
°
C
V
DS
10 V
0.01
0.035
0.06
0.085
1
2
3
4
5
6
0.11
R
D
,
T
S
V
GS
, GATE
TO
SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On
Resistance versus
Gate
To
Source Voltage
I
D
= 3.3 A
T
J
= 25
°
C
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
2
3
4
5
6
7
8
9
10
R
D
,
T
S
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 5.5 V
T
J
= 25
°
C
Figure 4. On
Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
R
D
,
T
S
(
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. On
Resistance Variation with
Temperature
I
D
= 3.25 A
V
GS
= 4.5 V
10
100
1000
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
D
,
V
DS
, DRAIN
TO
SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain
to
Source Leakage Current
versus Voltage
V
GS
= 0 V
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGS3455T1 | MOSFET -3.5 Amps, -30 Volts P-Channel TSOP-6(-3.5A，-30V，P通道，TSOP-6封装的MOSFET) |
| NTHC5513 | Power MOSFET(功率MOSFET) |
| NTHD3100C | Power MOSFET 20V, +3.9A/4.4A, Complementary ChipFET(20V, +3.9A/4.4A功率MOSFET) |
| NTHD3101F | Power MOSFET and Schottky Diode(20V, 4.4A功率MOSFET) |
| NTHD3102C | Power MOSFET(功率MOSFET) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGS3446/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 5 Amps， 20 Volts |
| NTGS3446T1 | 功能描述:MOSFET 20V 5.1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3446T1G | 功能描述:MOSFET 20V 5.1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS3447P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -12 V, -5.3 A, Single P-Channel, TSOP-6 |
| NTGS3447PT1G | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.4A 6-TSOP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。