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参数资料
| 型号： | NTGS3455T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 Wire Change 08/Oct/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTGS3455T1OS |
NTGS3455T1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted) (Notes 3 & 4)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = ? 10 μ A)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V GS = 0 Vdc, V DS = ? 30 Vdc, T J = 25 ° C)
(V GS = 0 Vdc, V DS = ? 30 Vdc, T J = 70 ° C)
Gate ? Body Leakage Current
(V GS = ? 20.0 Vdc, V DS = 0 Vdc)
Gate ? Body Leakage Current
(V GS = +20.0 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
I GSS
? 30
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
? 1.0
? 5.0
? 100
100
Vdc
μ Adc
nAdc
nAdc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = ? 250 μ Adc)
Static Drain ? Source On ? State Resistance
(V GS = ? 10 Vdc, I D = ? 3.5 Adc)
(V GS = ? 4.5 Vdc, I D = ? 2.7 Adc)
Forward Transconductance
(V DS = ? 15 Vdc, I D = ? 3.5 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
g FS
? 1.0
?
?
?
? 1.87
0.094
0.144
6.0
? 3.0
0.100
0.170
?
Vdc
W
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Total Gate Charge
Q tot
?
9.0
13
nC
Gate ? Source Charge
Gate ? Drain Charge
(V DS = ? 15 Vdc, V GS = ? 10 Vdc,
I D = ? 3.5 Adc)
Q gs
Q gd
?
?
2.5
2.0
?
?
Input Capacitance
C iss
?
480
?
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = ? 5.0 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
220
60
?
?
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
10
20
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = ? 20 Vdc, I D = ? 1.0 Adc,
V GS = ? 10 Vdc, R g = 6.0 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
15
20
10
30
35
20
Reverse Recovery Time
(I S = ? 1.7 Adc, dl S /dt = 100 A/ μ s)
t rr
?
30
?
ns
BODY ? DRAIN DIODE RATINGS
Diode Forward On ? Voltage
Diode Forward On ? Voltage
(I S = ? 1.7 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = ? 3.5 Adc, V GS = 0 Vdc)
V SD
V SD
?
?
? 0.90
? 1.0
? 1.2
?
Vdc
Vdc
3. Indicates Pulse Test: P.W. = 300 μ sec max, Duty Cycle = 2%.
4. Class 1 ESD rated ? Handling precautions to protect against electrostatic discharge are mandatory.
http://onsemi.com
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