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参数资料
| 型号： | NTGS3455T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 Wire Change 08/Oct/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTGS3455T1OS |
NTGS3455T1
20
16
12
V GS = ? 10 V
V GS = ? 9 V
V GS = ? 8 V
V GS = ? 7 V
V GS = ? 6 V
V GS = ? 5 V
20
18
16
14
12
T J = ? 55 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
10
8
V GS = ? 4 V
8
6
4
T J = 25 ° C
V GS = ? 3 V
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0.3
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.3
? V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.25
0.2
0.15
I D = ? 3.5 A
T J = 25 ° C
0.25
0.2
0.15
V GS = ? 4.5 V
T J = 25 ° C
V GS = ? 10 V
0.1
0.05
0.1
0.05
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1.6
? V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
700
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.4
1.2
I D = ? 3.5 A
V GS = ? 10 V
500
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
300
1
C oss
0.8
100
C rss
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
? 100
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance Variation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTGS4111PT2G | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
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| NTGS5120PT1G | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTGS3455T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:MOSFET -3.5 Amps， -30 Volts |
| NTGS3455T1_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET -3.5 Amps, -30 Volts |
| NTGS3455T1G | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS4111P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6) |
| NTGS4111PT1 | 功能描述:MOSFET -30V -4.7A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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