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参数资料
| 型号： | NTGS3455T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 Wire Change 08/Oct/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTGS3455T1OS |
NTGS3455T1
12
10
11
10
9
8
7
QT
8
6
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
6
5
4
3
2
1
Q gs
Q gd
T J = 25 ° C
I D = ? 3.5 A
4
2
T J = 25 ° C
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1
Q g, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
? V SD, SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
SQUARE WAVE PULSE DURATION (sec)
Figure 9. Normalized Thermal Transient Impedance, Junction ? to ? Ambient
20
16
12
8
4
0
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Power
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTGS3455T1G | 功能描述:MOSFET 30V 3.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTGS4111P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6) |
| NTGS4111PT1 | 功能描述:MOSFET -30V -4.7A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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