- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录489 > NTHD4P02FT1G (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTHD4P02FT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 155 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHD4P02FT1GOSDKR |
NTHD4P02F
TYPICAL MOSFET PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
4
V GS = ?6 V to ?3 V
V GS = ?2.4 V
?2 V
T J = 25 ° C
4
V DS ≥ ?10 V
?2.2 V
3
2
?1.8 V
3
2
1
0
?1.6 V
?1.4 V
?1.2 V
1
0
T C = ?55 ° C
25 ° C
100 ° C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.5
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.25
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.4
I D = ?2.1 A
T J = 25 ° C
0.225
T J = 25 ° C
V GS = ?2.5 V
0.2
0.3
0.175
0.2
0.15
V GS = ?4.5 V
0.1
0
0.125
0.1
1
2
3
4
5
6
0.5
1.5
2.5
3.5
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
1.6
I D = ?2.1 A
10000
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
V GS = ?4.5 V
T J = 150 ° C
1000
1.2
1
0.8
0.6
100
10
T J = 100 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
?T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD5903T1G | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET |
| NTHD5904NT1G | MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET |
| NTHS2101PT1 | MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET |
| NTHS4101PT1G | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET |
| NTHS4166NT1G | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD5902T1 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| NTHD5902T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET Dual N-Channel ChipFET? |
| NTHD5903T1 | 功能描述:MOSFET -20V -3A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD5903T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET Dual P-Channel ChipFET? |
| NTHD5903T1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -3.0 A, Dual P-Channel ChipFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。