- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录489 > NTHD4P02FT1G (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTHD4P02FT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 155 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHD4P02FT1GOSDKR |
NTHD4P02F
TYPICAL MOSFET PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
600
500
C ISS
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
?V DS
Q T
?V GS
15
12
400
3
9
300
C RSS
2
Q GS
Q GD
6
200
100
C OSS
1
I D = ?2.1 A
T J = 25 ° C
3
0
10
5
?V GS
0
?V DS
5
10
15
20
0
0
1
2
3
4
0
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
2.5
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = ?16 V
I D = ?2.1 A
V GS = ?4.5 V
t d(OFF)
t f
2
1.5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
1
t d(ON)
0.5
1
0
1
10
100
0.3
0.5
0.7
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
D = 0.5
0.2
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.1
0.1
0.05
Normalized to q ja at 10s.
0.02
Chip
0.0175 W
0.0710 W
0.2706 W
0.5776 W
0.7086 W
0.01
SINGLE PULSE
0.0154 F
0.0854 F
0.3074 F
1.7891 F
107.55 F
Ambient
0.01
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 11. Thermal Response
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD5903T1G | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET |
| NTHD5904NT1G | MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET |
| NTHS2101PT1 | MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET |
| NTHS4101PT1G | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET |
| NTHS4166NT1G | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD5902T1 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| NTHD5902T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET Dual N-Channel ChipFET? |
| NTHD5903T1 | 功能描述:MOSFET -20V -3A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD5903T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET Dual P-Channel ChipFET? |
| NTHD5903T1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -3.0 A, Dual P-Channel ChipFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。