- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录489 > NTHD5903T1G (ON Semiconductor)MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTHD5903T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 155 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.4nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTHD5903T1GOSCT |
NTHD5903
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
V GS = ?4 V ? 10 V
?3.6 V
10
125 ° C
8
6
T J = 25 ° C
?3.4 V
?3 V
8
6
25 ° C
T C = ?55 ° C
?2.8 V
4
2
0
V GS = ?1.4 V
?2.6 V
?2.4 V
?2.2 V
?1.8 V
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
4
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.4
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
3
I D = ?2.2 A
T J = 25 ° C
0.35
0.3
T J = 25 ° C
V GS = ?2.5 V
0.25
2
0.2
V GS = ?3.6 V
1
0.15
0.1
V GS = ?4.5 V
0
0.05
0
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
1.6
I D = ?2.2 A
1.0E?6
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = ?4.5 V
1.0E?7
1.0E?8
1.0E?9
1.0E?10
1.0E?11
T J = 150 ° C
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD5904NT1G | MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET |
| NTHS2101PT1 | MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET |
| NTHS4101PT1G | MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET |
| NTHS4166NT1G | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| NTHS4501NT1G | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD5904N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 4.5 A, Dual N−Channel, ChipFET |
| NTHD5904N_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 4.5 A, Dual N−Channel, ChipFET |
| NTHD5904NT1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD5904NT1G | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD5904NT3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。