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参数资料
| 型号： | NTHD5903T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 155 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.4nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTHD5903T1GOSCT |
NTHD5903
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
600
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
Q g
11
10
500
4
9
8
400
C rss
3
7
6
300
200
100
C oss
2
1
Q gs
Q gd
I D = ?2.2 A
T J = 25 ° C
5
4
3
2
1
0
0
0
?12
?8
?4
0
?V GS ?V DS
4
8
12
16
20
0
1 2 3
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
5
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V DD = ?10 V
I D = ?1.0 A
V GS = ?4.5 V
t d(off)
t f
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
1
t d(on)
3
2
1
0
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
2
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
Duty Cycle = 0.5
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.2
Notes:
PDM
1. Duty Cycle, D = t
2. Per Unit Base = R thJA = 90 ° C/W
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
t1
t2
t1
2
3. T JM ? T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 ?4
10 ?3
10 ?2
10 ?1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (sec)
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance, Junction?to?Ambient
http://onsemi.com
4
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