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参数资料
| 型号： | NTHS2101PT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 5.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 6.4V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTHS2101PT1OS |
NTHS2101P
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
5
Q T
8
1000
V DD = ?6.4 V
4
3
2
Q1
Q2
?V GS
7
6
5
4
3
100
10
I D = ?5.4 A
V GS = ?4.5 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
1
I D = 5.4 A
T J = 25 ° C
2
1
0
0
1
0
3 6 9
12
15
1
10
100
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4
3
2
1
0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
0.4
0.5 0.6 0.7
0.8
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
PDM
1. Duty Cycle, D = t
2. Per Unit Base = R thJA = 80 ° C/W
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
t1
t2
t1
2
3. T JM ? T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 ?4
10 ?3
10 ?2
10 ?1
1
10
100
600
SQUARE WAVE PULSE DURATION (sec)
Figure 10. Normalized Thermal Transient Impedance, Junction?to?Ambient
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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