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参数资料
| 型号： | NTHS2101PT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 5.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 6.4V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTHS2101PT1OS |
NTHS2101P
PACKAGE DIMENSIONS
ChipFET
CASE 1206A?03
ISSUE E
S
L
8
1
7
2
A
6
3
G
5
4
D
B
M
J
K
5
4
6
3
7
2
8
1
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MOLD GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.13 MM
PER SIDE.
4. LEADFRAME TO MOLDED BODY OFFSET IN
HORIZONTAL AND VERTICAL SHALL NOT EXCEED
0.08 MM.
5. DIMENSIONS A AND B EXCLUSIVE OF MOLD GATE
BURRS.
6. NO MOLD FLASH ALLOWED ON THE TOP AND
BOTTOM LEAD SURFACE.
7. 1206A?01 AND 1206A?02 OBSOLETE. NEW
STANDARD IS 1206A?03.
C
0.05 (0.002)
STYLE 1:
PIN 1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
DRAIN
DRAIN
DRAIN
GATE
SOURCE
DRAIN
DRAIN
DRAIN
DIM
A
B
C
D
G
J
K
L
M
S
MILLIMETERS
MIN MAX
2.95 3.10
1.55 1.70
1.00 1.10
0.25 0.35
0.65 BSC
0.10 0.20
0.28 0.42
0.55 BSC
5 ° NOM
1.80 2.00
INCHES
MIN MAX
0.116 0.122
0.061 0.067
0.039 0.043
0.010 0.014
0.025 BSC
0.004 0.008
0.011 0.017
0.022 BSC
5 ° NOM
0.072 0.080
SOLDERING FOOTPRINTS*
2.03 2
0.08
2.03 2
0.08
0.45 7
0.018
0.63 5
0.025
1.72 7
0.068
0.711
0.028
0.45 7
0.018
0.711
0.028
0.17 8
0.007
0.66
0.026
Basic
SCALE 20:1
mm
inches
0.66
0.026
Style 1
mm
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
5
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参数描述 |
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