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参数资料
| 型号： | NTHS4166NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTHS4166NT1G-ND NTHS4166NT1GOSTR |
NTHS4166N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1400
V GS = 0 V
10
1200
C iss
T J = 25 ° C
8
1000
800
6
V GS
600
400
C oss
4
Q 1
Q T
Q 2
2
200
C rss
I D = 4.9 A
T J = 25 ° C
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
1000
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
V DD = 15 V
5
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-To-Source and Drain-To-Source
Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
100
10
I D = 4.9 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
4
3
2
1
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
20
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 20 A
10
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
1 ms
10 ms
15
10
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
dc
5
THERMAL LIMIT
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHS4501NT1G | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| NTHS5404T1G | MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET |
| NTHS5441T1G | MOSFET PWR P-CH 3.9A 20V CHIPFET |
| NTHS5443T1 | MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET |
| NTJD1155LT1 | MOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHS4501N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 6.7 A, Single N−Channel, ChipFET Package |
| NTHS4501NT1 | 功能描述:MOSFET 30V 6.7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHS4501NT1G | 功能描述:MOSFET 30V 6.7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHS50680RJ | 制造商:MACOM 制造商全称:Tyco Electronics 功能描述:Aluminium Housed Power Resistors |
| NTHS5402T1 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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