- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录489 > NTHS5441T1G (ON Semiconductor)MOSFET PWR P-CH 3.9A 20V CHIPFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTHS5441T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CH 3.9A 20V CHIPFET |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 3.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 710pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTHS5441T1GOSCT |
NTHS5441
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
20
16
12
?4.5 V
?4 V
?5 V
?3.5 V
?3 V
T J = 25 ° C
?2.5 V
20
16
12
T J = ?55 ° C
25 ° C
125 ° C
8
4
?2 V
8
4
0
V GS = ?1.5 V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.2
0.15
0.1
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
I D = ?3.9 A
T J = 25 ° C
0.2
0.15
0.1
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
V GS = 3.6 V
0.05
0
0.05
0
V GS = 4.5 V
0
1
2
3
4
5
2
6
10
14
18
20
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
1.6
I D = ?3.9 A
V GS = ?4.5 V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHS5443T1 | MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET |
| NTJD1155LT1 | MOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363 |
| NTJD2152PT4G | MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363 |
| NTJD4001NT2G | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-363 |
| NTJD4105CT2G | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHS5443 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTHS5443T1 | 功能描述:MOSFET -20V -4.9A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHS5443T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET P-Channel ChipFET? |
| NTHS5443T1G | 功能描述:MOSFET -20V -4.9A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHS5445T1 | 功能描述:MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。