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参数资料
| 型号： | NTJD4001NT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-363 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 33pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 272mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJD4001N, NVTJD4001N
ELECTRICAL CHARACTERISTIC S (T J = 25 ° C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = 100 m A
30
56
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate ? to ? Source Leakage Current
I DSS
I GSS
V GS = 0 V, V DS = 30 V
V DS = 0 V, V GS = ± 10 V
1.0
± 1.0
m A
m A
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
V GS = V DS , I D = 100 m A
0.8
1.2
1.5
V
Gate Threshold Temperature
Coefficient
V GS(TH) /T J
? 3.2
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V GS = 4.0 V, I D = 10 mA
1.0
1.5
W
V GS = 2.5 V, I D = 10 mA
1.5
2.5
Forward Transconductance
g FS
V DS = 3.0 V, I D = 10 mA
80
mS
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Threshold Gate Charge
C ISS
C OSS
C RSS
Q G(TOT)
Q G(TH)
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = 5.0 V
V GS = 5.0 V, V DS = 24 V,
I D = 0.1 A
20
19
7.25
0.9
0.2
33
32
12
1.3
pF
nC
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Q GS
Q GD
0.3
0.2
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
td (ON)
tr
td (OFF)
tf
V GS = 4.5 V, V DD = 5.0 V,
I D = 10 mA, R G = 50 W
17
23
94
82
ns
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 10 mA
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.65
0.45
0.7
V
Reverse Recovery Time
t RR
V GS = 0 V, dI S /dt = 8.0 A/ m s,
I S = 10 mA
12.4
ns
2. Pulse Test: pulse width ≤ 300 m s, duty cycle ≤ 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTJD4105CT1G | 功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4105CT2 | 功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4105CT2G | 功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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