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参数资料
| 型号： | NTJD4001NT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-363 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 33pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 272mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJD4001N, NVTJD4001N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
50
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
Q G
40
C iss
4
30
20
C rss
C iss
3
2
Q GS
Q GD
10
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
C oss
C rss
25
1
0
0
I D = 0.1 A
T J = 25 ° C
0.2 0.4 0.6 0.8
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
1
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
0.1
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Gate Charge
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
D = 0.5
100
10
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
SINGLE PULSE
0.1
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME t,(s)
Figure 10. Thermal Response
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTJD4105CT2G | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
| NTJD4152PT1 | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363 |
| NTJD4158CT1G | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
| NTJD4401NT1G | MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363 |
| NTJD5121NT2G | MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJD4105C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC−88 |
| NTJD4105CT1 | 功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4105CT1G | 功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4105CT2 | 功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4105CT2G | 功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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