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参数资料
| 型号： | NTJD4001NT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-363 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 33pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 272mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJD4001N, NVTJD4001N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
0.2
0.18
0.16
0.14
V GS = 10 V to 3 V
V GS = 2.75 V
2.5 V
T J = 25 ° C
2.25 V
0.1
0.08
V DS = 5 V
0.12
0.06
0.1
0.08
0.06
0.04
2V
0.04
0.02
T J = 125 ° C
25 ° C
0.02
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
1.75 V
1.5 V
2
0
1
1.2
1.4
1.6
1.8
T J = ? 55 ° C
2
2.2
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
1.25
1.0
V GS = 10 V
T J = 125 ° C
1.25
1.0
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.75
0.5
0.25
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.75
0.5
0.25
V GS = 10 V
0.005
0.055 0.105 0.155
0.205
0.005
0.055 0.105 0.155
0.205
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
I D = 0.01 A
V GS = 10 V
10000
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTJD4105CT2G | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
| NTJD4152PT1 | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363 |
| NTJD4158CT1G | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
| NTJD4401NT1G | MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363 |
| NTJD5121NT2G | MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJD4105C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC−88 |
| NTJD4105CT1 | 功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4105CT1G | 功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4105CT2 | 功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4105CT2G | 功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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