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参数资料
| 型号： | NTJD4401NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-363 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 630mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 375 毫欧 @ 630mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 46pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 270mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTJD4401NT1GOSDKR |
NTJD4401N, NVJD4401N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
5
4
Q G(TOT)
V GS
0.7
0.6
0.5
V GS = 0 V
3
0.4
2
Q GS
Q GD
0.3
0.2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I D = 0.63 A
T J = 25 ° C
1.2
1.4
0.1
0
0
0.2
T J = 150 ° C
0.4
0.6
T J = 25 ° C
0.8
1
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
ORDERING INFORMATION
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current
Device
NTJD4401NT1G
NVJD4401NT1G
Package
SC ? 88
(Pb ? Free)
SC ? 88
(Pb ? Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
4
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