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参数资料
| 型号： | NTK3142PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 260MA 20V SOT-723 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 215mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 260mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15.3pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 280mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | SOT-723 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTK3142PT1GOSCT |
NTK3142P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.4
0.3
0.2
T J = 25 ° C
V GS = ? 4 V to ? 10 V
? 3.0 V
? 2.5 V
0.4
0.3
0.2
V DS ≥ ? 5 V
T J = 25 ° C
? 2.2 V
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
? 2.0 V
? 1.8 V
? 1.6 V
? 1.4 V
3
0.1
0
1
T J = 150 ° C
1.5
T J = ? 40 ° C
2
2.5
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
10
9
8
I D = ? 0.26 A
T J = 25 ° C
10
9
8
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.5 V
7
6
5
4
3
7
6
5
4
2
1
3
2
V GS = ? 4.5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
0
0.1
0.2
0.3
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
9.0
8.0
7.0
V GS = ? 0.01 V
V GS = ? 1.8 V
1000
V GS = 0 V
6.0
V GS = ? 2.5 V
100
T J = 150 ° C
5.0
4.0
3.0
V GS = ? 4.5 V
10
T J = 125 ° C
2.0
1.0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1
5
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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PDF描述 |
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参数描述 |
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