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参数资料
| 型号： | NTK3142PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 260MA 20V SOT-723 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 215mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 260mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15.3pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 280mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | SOT-723 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTK3142PT1GOSCT |
NTK3142P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
30
25
20
15
10
C iss
C oss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
1000
100
10
V DD = ? 5 V
I D = ? 10 mA
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
t d(on)
t r
5
0
0
C rss
2.5
5 7.5 10 12.5 15
17.5
20
1
1
10
100
? DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 8. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
0.3
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
125 ° C
25 ° C ? 40 ° C
0.2
0.1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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