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参数资料
| 型号： | NTLGF3402PT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.14W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLGF3402P
TYPICAL P?CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
700
600
500
C ISS
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
6
4
?V DS
Q T
?V GS
12
10
8
400
300
Q GS
Q GD
6
200
100
0
C RSS
C OSS
2
0
I D = ?2.7 A
T J = 25 ° C
4
2
0
10
5
?V GS
0
?V DS
5
10
15
20
0
1
2 3
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
t f
t d(off)
t r
10
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
10
t d(on)
1
T J = 150 ° C
V DS = ?16 V
I D = ?2.7 A
1
1
V GS = ?4.5 V
10
100
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
T J = ?55 ° C
0.9
1.0
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
D = 0.5
0.2
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 11. FET Thermal Response
http://onsemi.com
5
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