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参数资料
| 型号： | NTLJD3119CTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | µCool™ |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A，2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 271pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTLJD3119CTBGOSCT |
NTLJD3119C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
N/P
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
3.8
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
t d(ON)
t r
t d(OFF)
t f
N
P
V GS = 4.5 V, V DD = 16 V,
I D = 1.0 A, R G = 2.0 W
V GS = ? 4.5 V, V DD = ? 10 V,
I D = ? 2.0 A, R G = 2.0 W
4.7
11.1
5.8
5.2
13.2
13.7
19.1
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
N
P
V GS = 0 V, T J = 25 ° C
I S = 1.0 A
I S = ? 1.0 A
0.69
? 0.75
1.0
? 1.0
V
N
P
V GS = 0 V, T J = 125 ° C
I S = 1.0 A
I S = ? 1.0 A
0.52
? 0.64
Reverse Recovery Time
t RR
N
I S = 1.0 A
10.2
ns
P
I S = ? 1.0 A
16.2
Charge Time
t a
N
I S = 1.0 A
6.0
Discharge Time
t b
P
N
V GS = 0 V,
dI S / dt = 100 A/ m s
I S = ? 1.0 A
I S = 1.0 A
10.6
4.2
P
I S = ? 1.0 A
5.6
Reverse Recovery Charge
Q RR
N
I S = 1.0 A
3.0
nC
P
5. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
4
I S = ? 1.0 A
5.7
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