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参数资料
| 型号： | NTLJD3119CTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | µCool™ |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A，2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 271pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTLJD3119CTBGOSCT |
NTLJD3119C
TYPICAL PERFORMANCE CURVES ? N ? CHANNEL (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
8
V GS = 4 V to 2.2 V
T J = 25 ° C
2.0 V
1.8 V
10
8
V DS ≥ 10 V
6
6
4
2
1.6 V
1.4 V
4
2
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1.2 V
3.5
4
0
1
T J = ? 55 ° C
1.5
2
2.5
0.1
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.14
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
T J = 25 ° C
I D = 3.8 A
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
T J = 25 ° C
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
0.03
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.5
1.4
I D = 3.8 A
V GS = 4.5 V
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
1000
T J = 100 ° C
0.7
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLJD3181PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −4.0 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 2x2 mm WDFN Package |
| NTLJD3181PZTAG | 功能描述:MOSFET 20V UCOOL DUAL P-CHN 4.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD3181PZTBG | 功能描述:MOSFET 20V UCOOL DUAL P-CHN 4.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD3182FZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −4.0 A, μCool? Single P−Channel & Schottky Barrier Diode, ESD |
| NTLJD3182FZTAG | 功能描述:MOSFET 20V 4.1A UCOOL FETKY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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