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参数资料
| 型号： | NTLJD3119CTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | µCool™ |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A，2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 271pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTLJD3119CTBGOSCT |
NTLJD3119C
TYPICAL PERFORMANCE CURVES ? N ? CHANNEL (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
600
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
QT
20
500
C iss
4
16
400
300
3
V DS
V GS
12
200
C rss
C oss
2
Q GS
Q GD
8
100
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
1
0
0
I D = 3.8 A
T J = 25 ° C
1 2 3
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
4
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
100
10
V DD = 16 V
I D = 1.0 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
t r
2
1.5
1
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(on)
0.5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTLJD3181PZTBG | 功能描述:MOSFET 20V UCOOL DUAL P-CHN 4.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD3182FZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −4.0 A, μCool? Single P−Channel & Schottky Barrier Diode, ESD |
| NTLJD3182FZTAG | 功能描述:MOSFET 20V 4.1A UCOOL FETKY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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